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产物

保利协鑫是环球范围、技能抢先的多晶硅消费企业之一,也是环球硅片产能较大的企业,硅片年产能15吉瓦,2014年环球市占率30%。与此同时,经过技能研发和工艺改造,保利协鑫不时推出广受市场欢送的“鑫单晶G系列”、高效多晶S系列(“鑫多晶S2”、“鑫多晶S3”、“鑫多晶S3+”及“鑫多晶S4”),促使光电转换服从每6个月提拔0.3-0.4个百分点,引领着国际硅片产物高效化市场的开展偏向,推进电池、组件产物服从不时攀升,满意市场高效需求。

硅料
硅片
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GCL改进西门子法多晶硅

公司经过引进国际高端安装和技能,深化组合、集成再造,打造出了具有自主知识产权的GCL法工艺,完成了具有中国特征的多晶硅消费“绿色”制造。同时依托自主研发并取得国度专利的氯氢扮装置,可以将多晶硅消费进程中发生的副产品-四氯化硅全部转化为多晶硅消费中的质料-三氯氢硅,完成物料循环应用及“零排放”,并大幅度低落消费本钱,完成了多晶硅低本钱、低能耗,高质量且环保的行业领跑程度。现在高纯电子级产物比例继续上升,公司在能耗、消费本钱及产物质量方面已到达行业抢先程度。

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硅烷流化床法颗粒硅

流化床:
中能硅业经过自主研发和中试安装乐成开辟了硅烷流化床法,消费的颗粒硅产物到达电子多晶硅规范,为卑鄙提供高质量、低本钱的质料,弥补了国际硅烷法制备多晶硅技能的空缺,将无力推进高效太阳能电池财产的开展。

硅烷气:
硅烷气制备工艺专注于物料闭路循环,以最低能耗、最高产率取得高纯硅烷气,不只为硅烷流化床提供高质量质料包管,也可以独自作为产物出售。

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鑫多晶-S2硅片

鑫多晶-S2系列硅片是GCL经过对晶体消费实际的深入了解,设计先辈而首创的热场,开辟精密的工艺,接纳自产的优质硅料,在严厉的质量控制下消费制造出来的高效硅片,将助力电池、组件客户打造更具竞争力、更有代价的产物。

  • 共同的晶体构造
  • 低氧、碳浓度
  • 低金属杂质浓度
  • 低位错、层错、晶界等缺陷密度
  • 平均的杂质散布
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鑫多晶-S3硅片

鑫多晶S3基于S2平台片面提拔。热场、工艺、资料的继续提高,付与了鑫多晶S3更高的功能体现。

  • 服从较S2进步0.2%-0.3%
  • 服从散布会合度进一步提拔
  • 对电池工艺及辅材无特别要求
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鑫多晶 S3+硅片

鑫多晶S3+在主流客户真个试用均匀转换服从已到达18.1%-18.2%,功能波动,客户评价高。

  • 电池服从均匀值到达18%以上
  • 服从散布愈加会合
  • 为客户提供更多附加代价
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鑫多晶-S4硅片

“鑫多晶 S4”是保利协鑫最新一代鑫多晶产物,具有如下三方面明显的技能特点:一是 GCL 新高效工艺高纯坩埚的运用,无效处理了多晶硅片边沿的黑边题目,大幅低落边沿黑边比例,进步转换率;二是长晶技能新平台进一步进步了转换服从,经过对硅片尺寸的优化设计,无效地进步了后端组件的输入功率;三是投入量产全新的共掺杂技能,彻底处理了多晶电池片的光衰题目,为后续的 PERC 等高效工艺提供更广大的空间。

  • 共掺杂技能——组件光衰均匀低1%
  • 黑边缺陷改进——组件牢靠性大幅进步
  • 硅片尺寸更大——更高的组件功率输入
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鑫单晶-G2硅片

“鑫单晶 G2”定位于高效硅片市场的主流使用,将为高端客户提供最具市场竞争力的单晶产物。相较于以传统直拉法制得的单晶产物,“鑫单晶G2”在电池制备进程中有0.5%的额定服从增益,光衰均匀低1%,同时具有转换服从相近、面积大、封装丧失高等特点,是单晶铸锭技能获得的最新产物打破。

  • 高于G1基线1%相对的服从提拔,均匀转化服从靠近直拉单晶
  • 业界抢先的装料工艺和铸锭工艺
  • 投料量大,操纵复杂,低本钱
  • 单一晶向,低缺陷
  • 提供280/335W(60/72 pcs)以上组件最佳技能处理方案
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N型单晶系列硅片

保利协鑫最新N型直拉单晶硅片系列产物,经过盘算机模仿优化热场设计,联合工艺优化和质料、辅材质量提拔,无效低落氧含量,严厉控制缺陷,进步少子寿命,实用更高效电池技能需求。同时提供多种规格尺寸和切割方法供客户选择,进步组件输入功率。

  • 行业抢先的单晶消费技能,联合热场模仿、优化和一流的切片技能
  • 自产多晶硅质料、质量波动
  • 高少子寿命
  • 低碳、氧浓度
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P型单晶硅片

拥有国际抢先的单晶生长技能、单晶炉热屏技能和一流的切片技能,接纳自产优质多晶硅料,导入精益消费,严厉推行消费现场6S、EHS办理,可向客户提供优质高效6-8英寸单晶硅片。

  • 完好的单晶构造
  • 高少子寿命
  • 平均的掺杂散布
  • 低碳、氧浓度
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保利协鑫动力控股有限公司

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